BAK1000 - Amplificador MOSFET de 4/3/2 Canales

Vision General Caracteristicas Guia de Inicio Rapido

Mostrando transistores que igualan la performance de salida para una máxima transferencia de potencia y aletas disipadoras de calor de aluminio anodizado extruido para disipar el calor. Entradas para cables directos eliminan la necesidad de terminales adicionales y además aseguran una mejor conexión mediante un mayor contacto del cable. Adicionalmente, la sobrecarga térmica y los circuitos de baja impedancia proveen protección para incluso las condiciones más exigentes.

Mostrando transición de frecuencias variables de paso alto y de paso bajo con un 12dB/octava de nivel de transición de frecuencias y un incremento de los bajos de 0, 6 o 12dB. Para una instalación flexible, también se incluyen entradas de alto y bajo nivel, acomodando las conexiones a las principales unidades OEM y comerciales.

CARACTERÍSTICAS
• Entradas de nivel bajo y alto
• Control de nivel de entrada variable (200mV ~ 6V)
• Cruce seleccionable (paso alto/paso bajo/rango total)
• Refuerzos de bajo(0, 6, 12dB) • Operación puenteable para aplicaciones de altavoz de graves
• Operación estéreo estable de 2 Ohm
• Operación simultánea estéreo/en Puente
• Cuerpo de refrigeración de aluminio extruído
• Terminales de la conexión con el alambre directo
• Protección de sobrecarga termal reiniciable automáticamente
• Protección de corto circuito en altavoz
• Protección de polaridad reversa

SPECIFICATIONS
• SALIDA DE POTENCIA (14.4VDC, 20Hz ~ 20kHz)
• 100 vatios RMS X 4 canales en 4 ohms
• 250 vatios MAX X 4 canales en 2 ohms
• 500 vatios MAX X 2 canals en 4 ohms (puenteados)
• Energía dinámica total: 1000 Watts
• Coeficiete de ruido a señal de 75BA (referencia: 1 Watt en 4 ohms)
• Respuesta de frecuencia 20Hz ~ 20kHz (-3dB)
• Dimensiones del ampliÿcador 8.95”(L) x 14.1”(W) x 2.06”(D)
• Dimensiones de instalación típicas 11”(L) x 16”(W) x 3.25”(D)
• Diseño y especifiaciones sujetas a cambios sin notifiación.